BSS806NEH6327XTSA1 vs BSS806NH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS806NEH6327XTSA1 por Infineon y BSS806NH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,14 $0,19
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS806NEH6327XTSA1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Mode of Operation Enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V (maximum) 20 V
Continuous Drain Current (ID) 2.3 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-Resistance RDS(on) 57 mOhm (maximum) —
Encapsulado PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT23-3 (SOT-23-3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Yes (compliant) —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +150 C (junction)
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 2 (trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 2.3 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 57 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.8 V rated (logic level)
Gate Drive (recommended VGS) — 1.8 V to 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
Power Dissipation (PD, Ta) — 500 mW
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS — Compliant (Pb-free plating)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

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