BSS806NEH6327XTSA1 vs BSS806NH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS806NEH6327XTSA1 par Infineon et BSS806NH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,14 $0,19
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS806NEH6327XTSA1 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Mode of Operation Enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V (maximum) 20 V
Continuous Drain Current (ID) 2.3 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-Resistance RDS(on) 57 mOhm (maximum) —
Boîtier PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT23-3 (SOT-23-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Yes (compliant) —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +150 C (junction)
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 2 (trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 2.3 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 57 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.8 V rated (logic level)
Gate Drive (recommended VGS) — 1.8 V to 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
Power Dissipation (PD, Ta) — 500 mW
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS — Compliant (Pb-free plating)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

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