BSS806NH6327XTSA1 vs BSP149H6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS806NH6327XTSA1 por Infineon y BSP149H6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS806NH6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,19 $0,60
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 2 (trench MOSFET) SIPMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 2.3 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 57 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.8 V rated (logic level) —
Gate Drive (recommended VGS) 1.8 V to 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Power Dissipation (PD, Ta) 500 mW —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C (junction) —
Encapsulado PG-SOT23-3 (SOT-23-3) PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Estado RoHS Compliant (Pb-free plating) Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Transistor Polarity — N-Channel
Mode of Operation — Depletion Mode (normally ON)
Drain-Source Voltage VDS — 200 V
Continuous Drain Current ID — 660 mA (Ta)
Power Dissipation PD — 1.8 W (Ta)
On-State Resistance RDS(on) — 1 ohm (typ)
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Temperatura de funcionamiento — -55 C to +150 C (Tj)
Channel Count — 1
Recuento de pines — 4 (G, D, S, tab)
Configuration — Single

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