BSS84PH6327XTSA2 vs BSS126H6327XTSA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS84PH6327XTSA2 por Infineon y BSS126H6327XTSA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS84PH6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,10 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS84PH6327XTSA2 —
FET Type P-Channel N-Channel Depletion Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -170 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 360 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 8 ohm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Encapsulado PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Technology Family SIPMOS OptiMOS —
Polarity P-Channel Enhancement Mode —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction, typical)
Recuento de pines — 3
Configuration — Single
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Sin halógenos — Yes (Infineon 'green' package)

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