BSS84PH6327XTSA2 vs BSS126H6327XTSA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS84PH6327XTSA2 par Infineon et BSS126H6327XTSA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS84PH6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,10 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS84PH6327XTSA2 —
FET Type P-Channel N-Channel Depletion Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -170 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 360 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 8 ohm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Boîtier PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Technology Family SIPMOS OptiMOS —
Polarity P-Channel Enhancement Mode —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (junction, typical)
Nombre de broches — 3
Configuration — Single
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Sans halogène — Yes (Infineon 'green' package)

Fiches techniques et ressources

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