BSS84PH6327XTSA2 vs BSS126H6327XTSA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS84PH6327XTSA2 por Infineon e BSS126H6327XTSA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS84PH6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,10 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS84PH6327XTSA2 —
FET Type P-Channel N-Channel Depletion Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -170 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 360 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 8 ohm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Encapsulamento PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +150C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Technology Family SIPMOS OptiMOS —
Polarity P-Channel Enhancement Mode —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (junction, typical)
Contagem de pinos — 3
Configuration — Single
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Livre de halogênio — Yes (Infineon 'green' package)

Fichas técnicas e recursos

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