BSZ011NE2LS5IATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSZ011NE2LS5IATMA1 por Infineon y BSC052N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSZ011NE2LS5IATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ011NE2LS5IATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSZ011NE2LS5IATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,55 $0,52
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 35 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 69 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) —
Gate Drive Voltage (recommended) 4.5 V to 10 V —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C —
Encapsulado PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Sin halógenos Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC052N08NS5ATMA1
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +150C

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