BSZ011NE2LS5IATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSZ011NE2LS5IATMA1 por Infineon e BSC052N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSZ011NE2LS5IATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,55 $0,52
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 35 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 69 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) —
Gate Drive Voltage (recommended) 4.5 V to 10 V —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Livre de halogênio Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC052N08NS5ATMA1
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C

Fichas técnicas e recursos

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