BSZ011NE2LS5IATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSZ011NE2LS5IATMA1 от Infineon и BSC052N08NS5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | BSZ011NE2LS5IATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,55 | $0,52 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 35 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 40 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 69 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 4.5 V to 10 V | — |
| Диапазон рабочих температур | -55°C to +150°C | — |
| Корпус | PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC052N08NS5ATMA1 |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 95 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.2 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5-3.0 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55C to +150C |