BSZ036NE2LSATMA1 vs BSO150N03MDGXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSZ036NE2LSATMA1 por Infineon y BSO150N03MDGXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSZ036NE2LSATMA1 BSO150N03MDGXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,42 $0,37
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 37 W —
Encapsulado PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C -55C to +150C
Nivel MSL 1 (Unlimited) 1 (unlimited)
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic-level compatible —
Part Number — BSO150N03MDGXUMA1
Product Type — Dual N-Channel MOSFET Array
Technology — OptiMOS 3M (30V trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) max per channel — 9.3 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 15 mOhm at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 1.0 V
Power Dissipation (PD) max — 1.4 W
Channel Configuration — Dual N-Channel (independent)

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