BSZ036NE2LSATMA1 vs BSO150N03MDGXUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSZ036NE2LSATMA1 от Infineon и BSO150N03MDGXUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1 - 25V N-Channel OptiMOS Power MOSFET | Infineon

BSZ036NE2LSATMA1 - 25V N-Channel OptiMOS Power MOSFET | Infineon

BSZ036NE2LSATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSZ036NE2LSATMA1 BSO150N03MDGXUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,42 $0,37
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 37 W —
Корпус PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
Диапазон рабочих температур -55C to +150C -55C to +150C
Уровень MSL 1 (Unlimited) 1 (unlimited)
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic-level compatible —
Part Number — BSO150N03MDGXUMA1
Product Type — Dual N-Channel MOSFET Array
Technology — OptiMOS 3M (30V trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) max per channel — 9.3 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 15 mOhm at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 1.0 V
Power Dissipation (PD) max — 1.4 W
Channel Configuration — Dual N-Channel (independent)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену