BSZ036NE2LSATMA1 vs BSO150N03MDGXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSZ036NE2LSATMA1 par Infineon et BSO150N03MDGXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSZ036NE2LSATMA1 BSO150N03MDGXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,42 $0,37
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 37 W —
Boîtier PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C -55C to +150C
Niveau MSL 1 (Unlimited) 1 (unlimited)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic-level compatible —
Part Number — BSO150N03MDGXUMA1
Product Type — Dual N-Channel MOSFET Array
Technology — OptiMOS 3M (30V trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) max per channel — 9.3 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 15 mOhm at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 1.0 V
Power Dissipation (PD) max — 1.4 W
Channel Configuration — Dual N-Channel (independent)

Fiches techniques et ressources

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