BSZ130N03LSGATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSZ130N03LSGATMA1 por Infineon y BSC076N06NS3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
BSZ130N03LSGATMA1 - 30V OptiMOS N-FET, 35A, PG-TSDSON-8 | Infineon
BSZ130N03LSGATMA1 ✓ ActivoInfineon
BSC076N06NS3GATMA1 - 60V 50A 7.6mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | BSZ130N03LSGATMA1 | BSC076N06NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,41 | $0,65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 25V / 30V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta=25 C) | 10 A | — |
| Corriente de drenador continua (TC=25°C) | 35 A | — |
| On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V | 13 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA | 2.2 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.1 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 25 W | 69 W |
| Encapsulado | PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55 C to +150 C (junction) | -55C to +150C |
| Nivel MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | Yes (per Infineon product page) |
| Qualification | Industrial / Commercial (non-automotive) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Technology | — | N-Channel Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 50 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 7.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 10.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 3.5 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| RoHS Compliance | — | Compliant |