BTH60801EPLXUMA1 vs BTS51202EKAXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BTH60801EPLXUMA1 por Infineon y BTS51202EKAXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BTH60801EPLXUMA1 BTS51202EKAXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,74 $1,68
Product Type Smart High-Side Power Switch —
Number of Channels 1 2
Topología High-Side N-Channel MOSFET with Charge Pump Dual High-Side Switch (2 channels)
On-State Resistance (RDS(on)) 80 mΩ (typical) 120 mΩ (typical per channel)
Continuous Load Current 2.5 A —
Operating Voltage Range 4 V to 54 V —
Nominal Board Net 48 V (PROFET+ 48V family) —
Current Limitation Adjustable —
Diagnostic Output Current Sense (IS) pin Yes (status feedback pin)
Input Logic Active High and Active Low —
Protection Features Overtemperature, Overvoltage, Undervoltage, Short Circuit —
Encapsulado PG-TSDSO-14 (exposed pad) PG-DSO-14-40-EP (14-pin SOIC with exposed pad)
Rango de temperatura de funcionamiento -40 °C to +150 °C (Tj) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Estado RoHS Compliant Compliant
Technology — Smart6 (N-channel vertical MOSFET with charge pump)
Continuous Output Current — 2 A per channel (typical 2.5 A)
Operating Voltage (Vbb) — 8 V to 18 V
Load Type — Lamps up to 1×10 W, LEDs, resistive/inductive loads
Temperatura de funcionamiento — -40 °C to +150 °C
Maximum Power Dissipation — 1800 mW
Integrated Protection — Over-current, Short-circuit, Over-temperature, Over-voltage, Under-voltage lockout, Reverse battery
Charge Pump — Integrated
Automotive Qualified — Yes

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