CSD18503Q5A vs CSD19534Q5A Comparación

Comparación detallada lado a lado de CSD18503Q5A por Texas Instruments y CSD19534Q5A por Texas Instruments. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Texas Instruments
CSD19534Q5A CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro CSD18503Q5A CSD19534Q5A
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,85 $0,62
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
On-Resistance (RDS(on)) 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical) —
Continuous Drain Current (Ta) 19 A —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Ta) 3.1 W 3.2 W
Power Dissipation (Tc) 120 W 63 W
Technology NexFET NexFET (Power MOSFET)
Encapsulado 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm 8-VSONP (5x6 mm) with exposed pad
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C —
Configuration Single —
Gate Charge [DATA_NEEDED: Qg] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Número de pines 8 —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 44 A
On-Resistance RDS(on) — 12.6 mΩ (typ per datasheet description)
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
Nivel MSL — 1-260C-UNLIM
Recuento de pines — 8

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