CSD18503Q5A vs CSD19534Q5A Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de CSD18503Q5A par Texas Instruments et CSD19534Q5A par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
CSD19534Q5A CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre CSD18503Q5A CSD19534Q5A
Marque Texas Instruments Texas Instruments
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,85 $0,62
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
On-Resistance (RDS(on)) 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical) —
Continuous Drain Current (Ta) 19 A —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Ta) 3.1 W 3.2 W
Power Dissipation (Tc) 120 W 63 W
Technology NexFET NexFET (Power MOSFET)
Boîtier 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm 8-VSONP (5x6 mm) with exposed pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Configuration Single —
Gate Charge [DATA_NEEDED: Qg] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Nombre de broches 8 —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 44 A
On-Resistance RDS(on) — 12.6 mΩ (typ per datasheet description)
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
Niveau MSL — 1-260C-UNLIM
Nombre de broches — 8

Fiches techniques et ressources

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