EP3C40F780I8N vs EP3C40F780C8 Comparación

Comparación detallada lado a lado de EP3C40F780I8N por Intel y EP3C40F780C8 por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro EP3C40F780I8N EP3C40F780C8
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $192,00 $99,95
Family Cyclone III Cyclone III
Device Logic Elements 39,600 —
Logic Array Blocks (LABs/CLBs) 2,475 —
Embedded Memory (bits) 1,161,216 —
Embedded Memory (Kbits) 1,134 —
Embedded Multipliers (18x18) 126 —
Number of PLLs 4 —
User I/O Pins 535 —
I/O Banks 20 —
Nominal Core Supply Voltage 1.2 V (1.15 V to 1.25 V) —
Encapsulado 780-ball FBGA (F780) 780-ball FBGA (FineLine BGA)
Package Ball Pitch 1.0 mm —
Process Technology TSMC 65 nm low-power CMOS 65 nm low-power CMOS
Operating Temperature Grade Industrial (-40 °C to +100 °C junction) —
Configuration Modes Passive Serial, Active Serial (EPCS), JTAG, Fast Passive Parallel —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 3 —
Tipo de montaje Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
Series — EP3C40
Logic Elements — 39,600
Total Memory Bits — 1,161,216 bits (1134 Kbit)
Embedded Memory — M9K blocks, 486 Kbit total (per family datasheet)
Embedded 18x18 Multipliers — 126
General Purpose PLLs — 4
Global Clock Networks — 20
Maximum User I/O Pins — 535
Speed Grade — C8 (commercial, -40C to +85C operating range per 'C' designator family convention)
User I/O Banks — [DATA_NEEDED: user I/O bank count]
Supported Memory Interfaces — DDR, DDR2, QDRII SRAM (via dedicated PHY)
Configuration — Serial (AS) / Parallel (AP) / JTAG

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