EP3SE110F1152I4 vs EP3SE110F1152C3N Comparación

Comparación detallada lado a lado de EP3SE110F1152I4 por Intel y EP3SE110F1152C3N por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro EP3SE110F1152I4 EP3SE110F1152C3N
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida Obsolete Última compra
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1.020,00 $1.560,00
Family Stratix III E Stratix III E
Logic Elements (LE) 107,500 107,500
Logic Array Blocks (LABs) 4300 4,300
DSP Blocks 744 Yes (embedded multipliers)
Embedded Memory (bits) 8,936,448 —
User I/Os 744 744
Encapsulado 1152-ball FCBGA (Flip-Chip BGA) —
Temperatura de funcionamiento -40°C to +100°C (Industrial) 0 °C to 85 °C (commercial)
Process Node 40 nm —
Maximum User I/O Speed [DATA_NEEDED: maximum I/O toggle rate MHz] —
PLLs 24 —
Configuration Modes JTAG, Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP), Active Serial (AS) —
Memory Interface Support DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM II —
Transceiver Protocol Support PCIe Gen1/Gen2, Gbit Ethernet, XAUI, Serial RapidIO —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes (per Altera/Intel datasheet family convention)
Tipo de montaje Surface Mount (BGA) Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Series — Stratix III
Total RAM Bits — 8,936,448
Operating Frequency (max) — 500 MHz
Core Supply Voltage — 1.1 V nominal
I/O Supply Voltage — [DATA_NEEDED: I/O supply range]
Process Technology — 65 nm TSMC
Package Type — FC-FBGA-1152 (flip-chip BGA)
Speed Grade — C3
Estilo de montaje — SMD/SMT (Tray)
Tipo de memoria — M9K and M144K block RAM
External Memory Support — DDR/DDR2/DDR3 with read/write leveling
Boundary Scan — IEEE 1149.1 (JTAG)
RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

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