EP3SE110F780C4LN vs EP3SE50F780C4N Comparación

Comparación detallada lado a lado de EP3SE110F780C4LN por Intel y EP3SE50F780C4N por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro EP3SE110F780C4LN EP3SE50F780C4N
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida Activo NRND
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3.450,00 $1.430,00
Family Stratix III E Stratix III E
Logic Elements (LE) 107,500 47,500
Logic Array Blocks (LABs) 4,300 —
Embedded Memory 8,936,448 bits —
User I/O Pins 488 —
Encapsulado 780-BBGA, FCBGA (Fine-pitch) 780-Ball FBGA, 29 mm x 29 mm, 1.0 mm pitch
Supply Voltage Core 0.9 V (typical) —
Temperatura de funcionamiento 0C to +85C (Commercial) 0C to +85C (C4 commercial grade)
Speed Grade C4 —
Lead-Free / RoHS Yes (N suffix) —
Tipo de montaje Surface Mount (SMT) Surface Mount (BGA)
Process Technology 40 nm TSMC —
DSP Blocks Yes (18x18 multipliers) —
Nivel MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) 3 (per JEDEC J-STD-020, FBGA package)
Tray Packaging Yes (per distributor listings) —
Embedded Memory Bits — 5,760,000
Embedded Memory (M9K/M144K blocks) — 488 (per family datasheet)
Number of LABs — 1900
Maximum User I/Os — 488
DSP Blocks (18x18 multipliers) — 432
PLLs — 12 (per family datasheet)
Maximum Operating Frequency — 717 MHz
Transceiver Channels — Up to 12 (per family, model-dependent)
Transceiver Data Rate — Up to 6.375 Gbps (per Stratix III E family)
Process Node — 40 nm
Tensión de alimentación — Core 0.9 V, I/O 1.2 V-3.3 V (multi-rail)
Configuration Modes — JTAG, Passive Serial, Fast Passive Parallel
Estado RoHS — Lead-free / RoHS compliant
Hard Memory Controller — DDR2/DDR3 SDRAM (per Stratix III E family)

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