EP3SE110F780C4LN vs EP3SE50F780C4N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP3SE110F780C4LN par Intel et EP3SE50F780C4N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP3SE110F780C4LN EP3SE50F780C4N
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Actif NRND
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3 450,00 $1 430,00
Family Stratix III E Stratix III E
Logic Elements (LE) 107,500 47,500
Logic Array Blocks (LABs) 4,300 —
Embedded Memory 8,936,448 bits —
User I/O Pins 488 —
Boîtier 780-BBGA, FCBGA (Fine-pitch) 780-Ball FBGA, 29 mm x 29 mm, 1.0 mm pitch
Supply Voltage Core 0.9 V (typical) —
Température de fonctionnement 0C to +85C (Commercial) 0C to +85C (C4 commercial grade)
Speed Grade C4 —
Lead-Free / RoHS Yes (N suffix) —
Type de montage Surface Mount (SMT) Surface Mount (BGA)
Process Technology 40 nm TSMC —
DSP Blocks Yes (18x18 multipliers) —
Niveau MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) 3 (per JEDEC J-STD-020, FBGA package)
Tray Packaging Yes (per distributor listings) —
Embedded Memory Bits — 5,760,000
Embedded Memory (M9K/M144K blocks) — 488 (per family datasheet)
Number of LABs — 1900
Maximum User I/Os — 488
DSP Blocks (18x18 multipliers) — 432
PLLs — 12 (per family datasheet)
Maximum Operating Frequency — 717 MHz
Transceiver Channels — Up to 12 (per family, model-dependent)
Transceiver Data Rate — Up to 6.375 Gbps (per Stratix III E family)
Process Node — 40 nm
Tension d'alimentation — Core 0.9 V, I/O 1.2 V-3.3 V (multi-rail)
Configuration Modes — JTAG, Passive Serial, Fast Passive Parallel
Statut RoHS — Lead-free / RoHS compliant
Hard Memory Controller — DDR2/DDR3 SDRAM (per Stratix III E family)

Fiches techniques et ressources

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