EP3SE260H780C4N vs EP3SE260H780C4L Comparación

Comparación detallada lado a lado de EP3SE260H780C4N por Intel y EP3SE260H780C4L por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro EP3SE260H780C4N EP3SE260H780C4L
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida NRND NRND
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1.395,00 $1.190,00
Family Stratix III E (Enhanced) Stratix III E
Logic Elements 255,000 255,000
Logic Array Blocks (LABs) 10,200 —
Total RAM Bits 16,672,768 16,672,768 (16.7 Mbit)
Embedded Memory M9K and M144K blocks —
User I/O Pins 488 —
DSP Blocks (18x18 Multipliers) 768 —
PLLs 12 —
Process Node 65 nm CMOS —
Core Voltage 0.86 V to 1.15 V 0.9 V (nominal)
Maximum Core Clock Frequency 450 MHz —
Encapsulado 780-ball FCBGA (Flip Chip BGA) 780-ball FCBGA (HBGA 33x33 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (flip-chip BGA)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 hours) —
Temperatura de funcionamiento 0C to +85C (commercial) —
Configuration Method Serial/Parallel via Quartus II —
LABs/CLBs — 10,200
User I/O Count — 488
Speed Grade — C4 (middle/slow tier)
Temperatura de unión de funcionamiento — 0C to +85C (commercial)
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Estado RoHS — Compliant (lead-free per datasheet)
Transceivers — Up to 24 multi-gigabit transceivers
Memory Interface — DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM II controllers
Configuration Mode — PS, FPP, JTAG with EPCS/EPCQ

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