EPF10K200EBI600-2 vs EPF10K200EBI600-2N Comparación

Comparación detallada lado a lado de EPF10K200EBI600-2 por Intel y EPF10K200EBI600-2N por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Intel
EPF10K200EBI600-2N EPF10K200EBI600-2N - 200K Gates FLEX 10KE FPGA | Intel

EPF10K200EBI600-2N - 200K Gates FLEX 10KE FPGA | Intel

EPF10K200EBI600-2N Obsolete

Comparación de especificaciones

Parámetro EPF10K200EBI600-2 EPF10K200EBI600-2N
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida Obsolete Obsolete
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $198,00 $140,00
Family FLEX 10KE FLEX 10KE
System Gates 200,000 —
Logic Elements (LEs) 9,984 9,984
Logic Array Blocks (LABs) 1,248 —
Embedded RAM 98,304 bits —
Embedded Array Blocks (EABs) 12 (typical for this density) 12
User I/O Pins 470 470
Supply Voltage (VCCINT) 2.5 V —
Propagation Delay 0.4 ns (per -2 speed grade) 0.4 ns to 0.6 ns (per LE)
Temperatura de funcionamiento 0 C to 70 C (commercial) 0 °C to +70 °C (commercial)
Encapsulado BGA-600, 45 x 45 mm, 1.27 mm pitch 600-ball BGA (45 mm x 45 mm, 1.27 mm pitch)
Logic Family CMOS, SRAM-based —
Tipo de montaje Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
Configuration Method JTAG / ByteBlaster (SRAM configuration) SRAM, JTAG (IEEE 1149.1), serial configuration EPROM
Estado RoHS Compliant (lead-free package) [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Typical Gates — 200,000
Maximum System Gates — 513,000
Total RAM Bits — 98,304
Dedicated Inputs — 6
Technology / Process — 0.22 µm CMOS SRAM
Core Supply Voltage — 2.5 V (2.3 V to 2.7 V)
I/O Supply Voltage — 2.5 V / 3.3 V (5 V tolerant I/O available)
Maximum Internal Frequency — 200 MHz
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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