EPF10K200EBI600-2 vs EPF10K200EBI600-2N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EPF10K200EBI600-2 par Intel et EPF10K200EBI600-2N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Intel
EPF10K200EBI600-2N EPF10K200EBI600-2N - 200K Gates FLEX 10KE FPGA | Intel

EPF10K200EBI600-2N - 200K Gates FLEX 10KE FPGA | Intel

EPF10K200EBI600-2N Obsolete

Comparaison des spécifications

Paramètre EPF10K200EBI600-2 EPF10K200EBI600-2N
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Obsolete Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $198,00 $140,00
Family FLEX 10KE FLEX 10KE
System Gates 200,000 —
Logic Elements (LEs) 9,984 9,984
Logic Array Blocks (LABs) 1,248 —
Embedded RAM 98,304 bits —
Embedded Array Blocks (EABs) 12 (typical for this density) 12
User I/O Pins 470 470
Supply Voltage (VCCINT) 2.5 V —
Propagation Delay 0.4 ns (per -2 speed grade) 0.4 ns to 0.6 ns (per LE)
Température de fonctionnement 0 C to 70 C (commercial) 0 °C to +70 °C (commercial)
Boîtier BGA-600, 45 x 45 mm, 1.27 mm pitch 600-ball BGA (45 mm x 45 mm, 1.27 mm pitch)
Logic Family CMOS, SRAM-based —
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
Configuration Method JTAG / ByteBlaster (SRAM configuration) SRAM, JTAG (IEEE 1149.1), serial configuration EPROM
Statut RoHS Compliant (lead-free package) [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Typical Gates — 200,000
Maximum System Gates — 513,000
Total RAM Bits — 98,304
Dedicated Inputs — 6
Technology / Process — 0.22 µm CMOS SRAM
Core Supply Voltage — 2.5 V (2.3 V to 2.7 V)
I/O Supply Voltage — 2.5 V / 3.3 V (5 V tolerant I/O available)
Maximum Internal Frequency — 200 MHz
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fiches techniques et ressources

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