FS35R12W1T4-T7 vs FS35R12W1T4 Comparación

Comparación detallada lado a lado de FS35R12W1T4-T7 por Infineon y FS35R12W1T4 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro FS35R12W1T4-T7 FS35R12W1T4
Marca Infineon Infineon
Categoría IGBTs IGBTs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $30,25 $22,80
Topología Sixpack (three-phase inverter) + brake chopper Six-pack (3-phase inverter)
Collector-Emitter Voltage (Vces) 1200 V —
Nominal Collector Current (Ic nom) 35 A —
Pulsed Collector Current 65 A —
Total Power Dissipation 225 W —
IGBT Generation TRENCHSTOP IGBT4 —
Diode Generation Emitter Controlled 4 (EC4) —
Integrated NTC Yes (temperature monitoring) Yes
Package Family EasyPACK 1B —
Contact Technology Solder (T7 variant) —
Tipo de montaje Chassis Mount Screw-mount power terminals, PressFIT-pin option (FS35R12W1T4_B11)
Module Configuration 6 IGBTs + 6 diodes + brake chopper + NTC —
RoHS Compliance Compliant —
Application Class Industrial / Motor Drive / Solar —
Datasheet Source Infineon manufacturer datasheet —
Manufacturer — Infineon Technologies
Collector-Emitter Voltage (VCE) — 1200 V
Nominal Collector Current (IC nom) — 35 A
DC Collector Current — 65 A (per Mouser listing, TC limited)
IGBT Technology — TRENCHSTOP IGBT4 (Trench/Field-stop)
Diode Technology — Emitter Controlled 4 (EC4)
Encapsulado — EasyPACK 1B (baseplate-less)
Temperatura de unión de funcionamiento — -40 C to +150 C
Configuration — 6 IGBTs + 6 freewheeling diodes
Estado RoHS — Compliant
Short-Circuit Withstand Time — 10 us (typical for IGBT4 class)
Datasheet Document Length — 9 pages (per AllDatasheet mirror)
Power Dissipation Range — 135 W - 275 W (EasyPACK 1B family)

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