FS35R12W1T4-T7 vs FS35R12W1T4 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de FS35R12W1T4-T7 par Infineon et FS35R12W1T4 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre FS35R12W1T4-T7 FS35R12W1T4
Marque Infineon Infineon
Catégorie IGBTs IGBTs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $30,25 $22,80
Topologie Sixpack (three-phase inverter) + brake chopper Six-pack (3-phase inverter)
Collector-Emitter Voltage (Vces) 1200 V —
Nominal Collector Current (Ic nom) 35 A —
Pulsed Collector Current 65 A —
Total Power Dissipation 225 W —
IGBT Generation TRENCHSTOP IGBT4 —
Diode Generation Emitter Controlled 4 (EC4) —
Integrated NTC Yes (temperature monitoring) Yes
Package Family EasyPACK 1B —
Contact Technology Solder (T7 variant) —
Type de montage Chassis Mount Screw-mount power terminals, PressFIT-pin option (FS35R12W1T4_B11)
Module Configuration 6 IGBTs + 6 diodes + brake chopper + NTC —
RoHS Compliance Compliant —
Application Class Industrial / Motor Drive / Solar —
Datasheet Source Infineon manufacturer datasheet —
Manufacturer — Infineon Technologies
Collector-Emitter Voltage (VCE) — 1200 V
Nominal Collector Current (IC nom) — 35 A
DC Collector Current — 65 A (per Mouser listing, TC limited)
IGBT Technology — TRENCHSTOP IGBT4 (Trench/Field-stop)
Diode Technology — Emitter Controlled 4 (EC4)
Boîtier — EasyPACK 1B (baseplate-less)
Température de jonction en fonctionnement — -40 C to +150 C
Configuration — 6 IGBTs + 6 freewheeling diodes
Statut RoHS — Compliant
Short-Circuit Withstand Time — 10 us (typical for IGBT4 class)
Datasheet Document Length — 9 pages (per AllDatasheet mirror)
Power Dissipation Range — 135 W - 275 W (EasyPACK 1B family)

Fiches techniques et ressources

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