H5AN4G6NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-RDC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5AN4G6NBJR-RDC por SK hynix y H5AN4G8NBJR-RDC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro H5AN4G6NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,15 $2,95
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
Organización de memoria 256M x 16 512M x 8
Tensión de alimentación 1.2 V [DATA_NEEDED: VDD supply voltage]
Interfaz CMOS, fully synchronous DDR4 (Double Data Rate IV)
Package Code TFBGA (FBGA-96) —
Package Shape Rectangular —
Package Width 7.5 mm —
Number of Terminals 96 —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Self Refresh Auto / Self Refresh —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes —
On-Die Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free) —
Speed Grade -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin) —
Encapsulado — 78-ball FBGA
Velocidad de datos — [DATA_NEEDED: speed grade Mbps]
Bank Architecture — 8 banks with 4 bank groups (x8)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Termination — On-Die Termination (ODT)
Estado RoHS — Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant)
Process Technology — CMOS
Manufacturer — SK hynix
Family Series — H5AN4G4/8/6NBJR

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