H5AN4G6NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-RDC השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN4G6NBJR-RDC מאת SK hynix ו H5AN4G8NBJR-RDC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

SK hynix
H5AN4G6NBJR-RDC H5AN4G6NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 TFBGA-96 | SK hynix

H5AN4G6NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 TFBGA-96 | SK hynix

H5AN4G6NBJR-RDC ✓ פעיל
SK hynix
H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר H5AN4G6NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC
מותג SK hynix SK hynix
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
ארגון 256M x 16 512M x 8
מתח אספקה 1.2 V [DATA_NEEDED: VDD supply voltage]
ממשק CMOS, fully synchronous DDR4 (Double Data Rate IV)
Package Code TFBGA (FBGA-96) —
Package Shape Rectangular —
Package Width 7.5 mm —
Number of Terminals 96 —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Self Refresh Auto / Self Refresh —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes —
On-Die Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free) —
Speed Grade -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin) —
מארז — 78-ball FBGA
קצב נתונים — [DATA_NEEDED: speed grade Mbps]
Bank Architecture — 8 banks with 4 bank groups (x8)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Termination — On-Die Termination (ODT)
סטטוס RoHS — Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant)
Process Technology — CMOS
Manufacturer — SK hynix
Family Series — H5AN4G4/8/6NBJR

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר