H5AN4G6NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-RDC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G6NBJR-RDC par SK hynix et H5AN4G8NBJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN4G6NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,15 $2,95
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
Organisation de la mémoire 256M x 16 512M x 8
Tension d'alimentation 1.2 V [DATA_NEEDED: VDD supply voltage]
Interface CMOS, fully synchronous DDR4 (Double Data Rate IV)
Package Code TFBGA (FBGA-96) —
Package Shape Rectangular —
Package Width 7.5 mm —
Number of Terminals 96 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Self Refresh Auto / Self Refresh —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes —
On-Die Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free) —
Speed Grade -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin) —
Boîtier — 78-ball FBGA
Débit de données — [DATA_NEEDED: speed grade Mbps]
Bank Architecture — 8 banks with 4 bank groups (x8)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Termination — On-Die Termination (ODT)
Statut RoHS — Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant)
Process Technology — CMOS
Manufacturer — SK hynix
Family Series — H5AN4G4/8/6NBJR

Fiches techniques et ressources

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