H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-UHC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G8NBJR-RDC por SK hynix y H5AN4G8NBJR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G8NBJR-RDC | H5AN4G8NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,95 | $3,18 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organización de memoria | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Interfaz | DDR4 (Double Data Rate IV) | DDR4 (JEDEC) |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Tensión de alimentación | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] | 1.2 V |
| Velocidad de datos | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] | 2400 Mbps (PC2400) |
| Bank Architecture | 8 banks with 4 bank groups (x8) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] |
| Temperature Grade | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| Estado RoHS | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) | Compliant (Rohs Code: Yes) |
| Process Technology | CMOS | — |
| Manufacturer | SK hynix | SK Hynix Inc. |
| Family Series | H5AN4G4/8/6NBJR | — |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Lifecycle Code | — | Active |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| Temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] |