H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-UHC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-RDC от SK hynix и H5AN4G8NBJR-UHC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC ✓ Активен
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-UHC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,95 $3,18
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Организация памяти 512M x 8 512M x 8
Интерфейс DDR4 (Double Data Rate IV) DDR4 (JEDEC)
Корпус 78-ball FBGA TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Напряжение питания [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] 1.2 V
Скорость передачи данных [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] 2400 Mbps (PC2400)
Bank Architecture 8 banks with 4 bank groups (x8) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]
Temperature Grade [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Termination On-Die Termination (ODT) —
Статус RoHS Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) Compliant (Rohs Code: Yes)
Process Technology CMOS —
Manufacturer SK hynix SK Hynix Inc.
Family Series H5AN4G4/8/6NBJR —
Technology — CMOS DRAM
Lifecycle Code — Active
REACH Compliance — Compliant
Рабочая температура — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену