H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-RDC par SK hynix et H5AN4G8NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-RDC | H5AN4G8NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,95 | $3,18 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Interface | DDR4 (Double Data Rate IV) | DDR4 (JEDEC) |
| Boîtier | 78-ball FBGA | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Tension d'alimentation | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] | 1.2 V |
| Débit de données | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] | 2400 Mbps (PC2400) |
| Bank Architecture | 8 banks with 4 bank groups (x8) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] |
| Temperature Grade | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| Statut RoHS | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) | Compliant (Rohs Code: Yes) |
| Process Technology | CMOS | — |
| Manufacturer | SK hynix | SK Hynix Inc. |
| Family Series | H5AN4G4/8/6NBJR | — |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Lifecycle Code | — | Active |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] |