H5AN4G8NBJR-RDC vs MT40A512M8RH-083E Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5AN4G8NBJR-RDC por SK hynix y MT40A512M8RH-083E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT40A512M8RH-083E MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5AN4G8NBJR-RDC MT40A512M8RH-083E
Marca SK hynix Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,95 $3,30
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Organización de memoria 512M x 8 512M x 8
Interfaz DDR4 (Double Data Rate IV) —
Encapsulado 78-ball FBGA 78-ball FBGA (9 x 10.5 mm)
Tipo de montaje Surface Mount —
Tensión de alimentación [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] —
Velocidad de datos [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] —
Bank Architecture 8 banks with 4 bank groups (x8) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh 64 ms, 8192-cycle refresh (to 95C)
Temperature Grade [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Termination On-Die Termination (ODT) —
Estado RoHS Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) Compliant
Process Technology CMOS —
Manufacturer SK hynix —
Family Series H5AN4G4/8/6NBJR —
Industry Speed Grade — DDR4-2400
Clock Rate — 1.2 GHz
Internal Banks — 8 banks (2 groups of 4)
Prefetch — 8n-bit
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP — 2.5 V, -125 mV/+250 mV
I/O Structure — 1.2 V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die internal, adjustable generation
Temperatura de funcionamiento — 0C to +95C
FBGA Code — D9TGG
Marking Code — D9TGG
Data Strobe Preamble — Programmable
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency per speed bin table]

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