H5AN4G8NBJR-UHC vs K4A8G085WC-BCRC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G8NBJR-UHC por SK hynix y K4A8G085WC-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G8NBJR-UHC | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $3,18 | $4,30 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 8 Gbit |
| Organización de memoria | 512M x 8 | 1G x 8 |
| Velocidad de datos | 2400 Mbps (PC2400) | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Interfaz | DDR4 (JEDEC) | — |
| Encapsulado | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Lifecycle Code | Active | — |
| Estado RoHS | Compliant (Rohs Code: Yes) | Compliant |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | Auto/Self refresh |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |