H5AN4G8NBJR-UHC vs K4A8G085WC-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-UHC par SK hynix et K4A8G085WC-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-UHC | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,18 | $4,30 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 8 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 1G x 8 |
| Débit de données | 2400 Mbps (PC2400) | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Interface | DDR4 (JEDEC) | — |
| Boîtier | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Lifecycle Code | Active | — |
| Statut RoHS | Compliant (Rohs Code: Yes) | Compliant |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | Auto/Self refresh |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |