H5AN8G4NCJR-XXC vs H5AN8G6NCJR-XXC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G4NCJR-xxC por SK hynix y H5AN8G6NCJR-xxC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G4NCJR-xxC | H5AN8G6NCJR-xxC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,50 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | x4 (H5AN8G4NCJR) | 512M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.2V | — |
| Velocidad de datos | [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix] | 2666 Mbps (VKC speed grade) |
| Encapsulado | FBGA | 96-ball FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Prefetch | 8-bit | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8, 4 (with burst chop) |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Supply | — | 2.5 V |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to 95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported |
| Self-Refresh | — | Temperature-compensated (TCSR) |