H5AN8G4NCJR-XXC vs H5AN8G6NCJR-XXC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G4NCJR-xxC par SK hynix et H5AN8G6NCJR-xxC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G4NCJR-xxC | H5AN8G6NCJR-xxC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,50 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | x4 (H5AN8G4NCJR) | 512M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.2V | — |
| Débit de données | [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix] | 2666 Mbps (VKC speed grade) |
| Boîtier | FBGA | 96-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Prefetch | 8-bit | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8, 4 (with burst chop) |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Supply | — | 2.5 V |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to 95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported |
| Self-Refresh | — | Temperature-compensated (TCSR) |