H5AN8G6NAFR-VKC vs MT40A512M16JY-075E Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NAFR-VKC por SK hynix y MT40A512M16JY-075E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G6NAFR-VKC | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,25 | $30,50 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Core Supply Voltage | 1.2 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| Encapsulado | FBGA-96 (PBGA96) | 96-FBGA (8x14) |
| Speed Grade | -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) | — |
| Data Rate Class | Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) | — |
| Family | H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Estado RoHS | Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant | Compliant |
| Application | Main memory (high density, high bandwidth) | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh mode specification] | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Velocidad de datos | — | 2666 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Interfaz | — | Parallel |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| Características | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |