H5AN8G6NAFR-VKC vs MT40A512M16JY-075E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NAFR-VKC par SK hynix et MT40A512M16JY-075E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NAFR-VKC | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,25 | $30,50 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Core Supply Voltage | 1.2 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| Boîtier | FBGA-96 (PBGA96) | 96-FBGA (8x14) |
| Speed Grade | -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) | — |
| Data Rate Class | Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) | — |
| Family | H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR | — |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Statut RoHS | Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant | Compliant |
| Application | Main memory (high density, high bandwidth) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh mode specification] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Débit de données | — | 2666 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Interface | — | Parallel |
| Plage de température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| Caractéristiques | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |