H5AN8G6NAFR-VKC vs MT40A512M16JY-075E 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NAFR-VKC 제조: SK hynix 및 MT40A512M16JY-075E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G6NAFR-VKC | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.25 | $30.50 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Core Supply Voltage | 1.2 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| 패키지 | FBGA-96 (PBGA96) | 96-FBGA (8x14) |
| Speed Grade | -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) | — |
| Data Rate Class | Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) | — |
| Family | H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR | — |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant | Compliant |
| Application | Main memory (high density, high bandwidth) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh mode specification] | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| 메모리 크기 | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| 데이터 속도 | — | 2666 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| 동작 온도 범위 | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| 특징 | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |