H5AN8G6NDJR-XNC vs H5AN8G6NDJR-UHC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NDJR-XNC por SK hynix y H5AN8G6NDJR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G6NDJR-XNC | H5AN8G6NDJR-UHC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $55,68 | $34,60 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | 1.2 V |
| Encapsulado | FBGA-96 (13x7.5 mm) | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | 85 °C |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | Yes |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organización de memoria | — | 512M x 16 |
| Speed Grade | — | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Minimum Operating Temperature | — | 0 °C |
| Additional Features | — | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling |