H5AN8G6NDJR-XNC vs H5AN8G6NDJR-UHC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G6NDJR-XNC メーカー: SK hynix および H5AN8G6NDJR-UHC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G6NDJR-XNC H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G6NDJR-XNC H5AN8G6NDJR-UHC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $55.68 $34.60
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gb —
Memory Organization 512M x16 —
データレート 3200 Mbps —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (max 1.26 V) 1.2 V
パッケージ FBGA-96 (13x7.5 mm) FBGA-96 (13x7.5 mm)
Number of Terminals 96 96
Maximum Operating Temperature 85 °C 85 °C
Input/Output Type COMMON —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Data Mask Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Density — 8 Gb
メモリ構成 — 512M x 16
Speed Grade — 3200 Mbps (PC4-25600)
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Package Shape — RECTANGULAR
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
Minimum Operating Temperature — 0 °C
Additional Features — Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling

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