H5AN8G6NDJR-XNC vs H5AN8G6NDJR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NDJR-XNC par SK hynix et H5AN8G6NDJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NDJR-XNC | H5AN8G6NDJR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $55,68 | $34,60 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | 1.2 V |
| Boîtier | FBGA-96 (13x7.5 mm) | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | 85 °C |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 16 |
| Speed Grade | — | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Minimum Operating Temperature | — | 0 °C |
| Additional Features | — | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling |