H5AN8G6NDJR-XNC vs K4A8G165WC-BCRC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NDJR-XNC por SK hynix y K4A8G165WC-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G6NDJR-XNC | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $55,68 | $23,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Encapsulado | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organización de memoria | — | 512M x 16 |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C (case) |
| Interfaz | — | 16-bit I/O |
| Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Latencia CAS | — | Programmable (e.g., 16, 17, 18) |
| Refresh | — | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |