H5AN8G8NAFR-PBC vs H5AN8G8NAFR-UHI Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G8NAFR-PBC por SK hynix y H5AN8G8NAFR-UHI por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G8NAFR-PBC | H5AN8G8NAFR-UHI |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,20 | $4,10 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulado | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade / Data Rate | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] | — |
| Interfaz | DDR4 (double data rate, synchronized to clock) | DDR4 (JEDEC-class) |
| Address Inputs | A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed) | — |
| Connectivity Test Mode | TEN (optional input on x4/x8, required on x16) | — |
| Process Technology | CMOS | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Datasheet Revision | Rev. 1.2 / July 2017 | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Memory Density | — | 8 Gb |
| Velocidad de datos | — | DDR4-2400 (PC2400), 1200 MHz clock |
| Lead Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| Technology | — | CMOS |
| Application | — | Main memory (high density, high bandwidth) |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for UHI speed grade] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |