H5AN8G8NAFR-PBC vs H5AN8G8NAFR-UHI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NAFR-PBC par SK hynix et H5AN8G8NAFR-UHI par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G8NAFR-PBC | H5AN8G8NAFR-UHI |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,20 | $4,10 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade / Data Rate | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] | — |
| Interface | DDR4 (double data rate, synchronized to clock) | DDR4 (JEDEC-class) |
| Address Inputs | A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed) | — |
| Connectivity Test Mode | TEN (optional input on x4/x8, required on x16) | — |
| Process Technology | CMOS | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Datasheet Revision | Rev. 1.2 / July 2017 | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Memory Density | — | 8 Gb |
| Débit de données | — | DDR4-2400 (PC2400), 1200 MHz clock |
| Lead Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| Technology | — | CMOS |
| Application | — | Main memory (high density, high bandwidth) |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for UHI speed grade] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |