H5AN8G8NCJR-PBC vs H5AN8G8NCJR-VKC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5AN8G8NCJR-PBC por SK hynix y H5AN8G8NCJR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-PBC H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC ✓ Activo
SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5AN8G8NCJR-PBC H5AN8G8NCJR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,40 $28,13
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile)
Tamaño de memoria 8 Gb (1 GB) 8 Gbit
Organización de memoria 1G x 8 (x8) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class)
Interface Voltage (VDDQ) 1.2 V (SSTL12) —
Velocidad de datos [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] 2666 Mbps/pin
Encapsulado 78-ball FBGA FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Architecture CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked —
Bank Structure 8 internal banks, bank-group architecture —
Burst Length BL8 —
Características ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh —
Die Revision Family CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) —
Estado RoHS Lead-Free & Halogen-Free Compliant
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Typical Applications PC/server main memory, embedded solder-down memory —
Memory Organization — 1G x 8
Clock Frequency — 1.6 GHz
Operating Current (typ) — 30 mA
Standby Current (typ) — 3 mA
Interfaz — Parallel (DDR4)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh period]

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