H5AN8G8NCJR-PBC vs H5AN8G8NCJR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NCJR-PBC par SK hynix et H5AN8G8NCJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-PBC H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC ✓ Actif
SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G8NCJR-PBC H5AN8G8NCJR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,40 $28,13
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile)
Taille de mémoire 8 Gb (1 GB) 8 Gbit
Organisation de la mémoire 1G x 8 (x8) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class)
Interface Voltage (VDDQ) 1.2 V (SSTL12) —
Débit de données [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] 2666 Mbps/pin
Boîtier 78-ball FBGA FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Architecture CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked —
Bank Structure 8 internal banks, bank-group architecture —
Burst Length BL8 —
Caractéristiques ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh —
Die Revision Family CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) —
Statut RoHS Lead-Free & Halogen-Free Compliant
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Typical Applications PC/server main memory, embedded solder-down memory —
Memory Organization — 1G x 8
Clock Frequency — 1.6 GHz
Operating Current (typ) — 30 mA
Standby Current (typ) — 3 mA
Interface — Parallel (DDR4)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh period]

Fiches techniques et ressources

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