H5AN8G8NCJR-RDC vs H5AN8G8NDJR-XNC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G8NCJR-RDC por SK hynix y H5AN8G8NDJR-XNC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G8NCJR-RDC | H5AN8G8NDJR-XNC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,70 | $24,50 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | — |
| Organización de memoria | x8 | — |
| Velocidad de datos | up to 2666 Mbps | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V (VDD) | — |
| Interfaz | DDR4 (JEDEC standard) | Parallel |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | — |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gbit (1 G x 8) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to +95°C |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (I/O clock) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Packaging | — | Tray |
| Status | — | Active |