H5AN8G8NCJR-RDC vs H5AN8G8NDJR-XNC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G8NCJR-RDC メーカー: SK hynix および H5AN8G8NDJR-XNC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ 生産中
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H5AN8G8NDJR-XNC H5AN8G8NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NDJR-XNC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NDJR-XNC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.70 $24.50
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb (1 GB) —
メモリ構成 x8 —
データレート up to 2666 Mbps 3200 MT/s (DDR4-3200)
電源電圧 1.2 V (VDD) —
インターフェース DDR4 (JEDEC standard) Parallel
Bank Architecture 4 bank groups x 4 banks —
Burst Length BL8 —
パッケージ 78-ball FBGA FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] —
Generation C-die family (NCJR) —
Lead Free Yes —
ハロゲンフリー Yes —
RoHS ステータス Compliant —
メモリサイズ — 8 Gbit (1 G x 8)
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Operating Temperature (TC) — 0°C to +95°C
Memory Organization — 1G x 8
Clock Frequency — 1.6 GHz (I/O clock)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Packaging — Tray
Status — Active

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