H5AN8G8NCJR-RDC vs H5AN8G8NDJR-XNC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G8NCJR-RDC por SK hynix e H5AN8G8NDJR-XNC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ Ativo
SK hynix
H5AN8G8NDJR-XNC H5AN8G8NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NDJR-XNC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NDJR-XNC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,70 $24,50
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb (1 GB) —
Organização da memória x8 —
Taxa de dados up to 2666 Mbps 3200 MT/s (DDR4-3200)
Tensão de alimentação 1.2 V (VDD) —
Interface DDR4 (JEDEC standard) Parallel
Bank Architecture 4 bank groups x 4 banks —
Burst Length BL8 —
Encapsulamento 78-ball FBGA FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] —
Generation C-die family (NCJR) —
Lead Free Yes —
Livre de halogênio Yes —
Status RoHS Compliant —
Tamanho da memória — 8 Gbit (1 G x 8)
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Operating Temperature (TC) — 0°C to +95°C
Memory Organization — 1G x 8
Clock Frequency — 1.6 GHz (I/O clock)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Packaging — Tray
Status — Active

Fichas técnicas e recursos

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